【真人龙虎斗游戏】为了获得高性能的硅基柔性可拉伸电子器件,实现异质锗硅超晶格结构是探索新一代光电器件应用的基础

【真人龙虎斗游戏】为了获得高性能的硅基柔性可拉伸电子器件,实现异质锗硅超晶格结构是探索新一代光电器件应用的基础。【真人龙虎斗游戏】为了获得高性能的硅基柔性可拉伸电子器件,实现异质锗硅超晶格结构是探索新一代光电器件应用的基础。硅基纳米结构材料的形貌和性质调控是开拓新型高性能硅基纳电子和光电集成器件的重要基础。基于一种新颖的平面纳米线生长策略,南京大学电子科学与工程学院余林蔚、徐骏教授课题组,提出并实现了一种可编程的晶硅纳米线周期性形貌调控技术,为进而调制其中电子、光子以及声子的输运特性提供了强有力的新技术手段。类似于液体束流中的Plateau-Rayleigh不稳定特性,一维纳米线在表面能最小化的驱使下,将“倾向于”自发演化成分立的珠串结构。虽然原则上,在低温下固态晶硅纳米线无法完成上述的PR形貌转变,但课题组巧妙地借助于金属纳米液滴的自驱动生长和柔性“固-液”生长界面,在350oC的低温下,实现了对所生长出纳米线直径和形貌的实时调控,“塑造”出周期性的岛链状(island-chain)纳米线结构。令人吃惊的是,在此过程中PR形变动态可以被宏观调控参量很好地掌控,从而制备出几乎任意中间态的硅纳米珠串形貌结构。例如:可以保持晶硅岛之间的窄沟道连接(这对于电声传输尤其重要),并同时实现岛链状纳米线的精确定向定位。针对此新颖的金属纳米颗粒生长特性,此工作还进一步讨论了其中的独特形貌调控理论,并建立了关键的生长描述模型。此项研究的突破,充分展示了液态金属液滴自组织生长在调控硅基纳米结构材料上的巨大潜力和机遇,也为在大面积尺度上开发和集成新一代的高性能硅基电子和光电子器件,深入研究其中独特的光、热、电及其相互转换特性,提供了理想的结构框架。

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Electronics)功能材料成为广泛关注的研究热点。传统高性能电子器件的核心材料基础是晶硅(Crystalline
silicon),然而其本身不具备可拉伸性(stretchability)。即便在一维纳米线形貌,也仅仅是柔性可弯曲(flexible
or
bendable)而已,很难在晶硅纳米线上实现>3%以的可拉伸性。与此同时,大多数可拉伸有机或聚合物材料却不具备晶硅材料所特有的高迁移率、高稳定性和完备技术工艺。为了获得高性能的硅基柔性可拉伸电子器件,最直接有效的策略就是将晶硅纳米线制备场周期性Zigzag的纳米线弹簧结构。围绕此目标,国际上多个科研团队尝试了纳米沟道限制、生长气氛调控和应力塑形等各种方法。然而,受限于十分苛刻的微纳操纵生长条件,至今还没有获得一种在较低生长温度下大规模可控制备的方法,难以在可穿戴电子和传感等实际器件应用中获得突破。

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【真人龙虎斗游戏】为了获得高性能的硅基柔性可拉伸电子器件,实现异质锗硅超晶格结构是探索新一代光电器件应用的基础。本项研究成果论文近期发表在《Nano Letters》上,Nanodroplet Hydrodynamic
Transformation of Uniform Amorphous Bilayer into Highly Modulated Ge/Si
Island-Chains, Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b02847
。论文第一作者为博士生赵耀龙同学,通讯作者是南京大学余林蔚教授。相关工作得到了电子科学与工程学院的徐骏教授、施毅教授以及法国巴黎综合理工Pere
Roca i
Cabarrocas教授的大力支持。该项研究工作受到“青年千人计划”,国家自然科学基金,江苏省杰出青年基金和“双创人才”计划的资助。

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通过人工组分调控和设计,实现异质锗硅超晶格结构是探索新一代光电器件应用的基础。而在准一维的纳米线沟道中,能同时叠加组分(Compositional)和形貌(Geometric)变化对能带的调控能力,有望建立更为高效的物性调控新技术和新思路。传统锗硅异质超晶格纳米线制备依赖于交替气氛供给的VLS生长模式,由于背景环境中的组分切换迟滞(reservoir)效应,难以获得非常“锐利”的组分调控。每个组分周期至少需要两次生长环境切变(switching)和清洗过程,故而生长制备成本高且非常缓慢。此外,竖直生长超晶格纳米线难以实现规模定位集成,这也为平面工艺应用带来巨大困难。

本项研究成果论文, In-plane self-turning and twin dynamics renders large
stretchability to mono-like zigzag silicon nanowire springs,
发表在Advanced Functional Materials , DOI:
10.1002/adfm.201600780之上。论文的第一作者为博士生薛兆国同学,通讯作者是南京大学余林蔚教授和北京大学陈青教授。相关工作得到了电子科学与工程学院的徐骏教授、施毅教授、潘力嘉教授以及法国巴黎综合理工/CNRS,LPICM实验室Pere
Roca i
Cabarrocas教授的大力支持。该项研究工作受到“青年千人计划”,国家基础研究“973”课题,国家自然科学基金,江苏自然科学基金,双创人才计划和江苏省“333”高层次人才培养工程项目的资助。

(电子科学与工程学院 科学技术处)

(电子科学与工程学院 科学技术处)

南京大学电子科学与工程学院余林蔚教授课题组,通过与北京大学和巴黎综合理工大学的合作,首次发现了一种平面限制的自发Zigzag振荡晶硅纳米线生长模式,可在大面积低温硅基薄膜工艺所兼容的条件下,这为进一步性能提高确定了方向。此研究结果为实现新一代高迁移率、高稳定性可拉伸纳米线器件指示了一条全新的形貌调控和制备策略,并有望将成熟的晶硅电子技术拓展到全新的柔性可拉伸电子领域,推动可穿戴电子应用的新思路和新方向。

本项研究成果论文,Engineering island-chain silicon nanowires via a
droplet mediated Plateau-Rayleigh transformation发表在NATURE
COMMUNICATIONS | 7:12836 | DOI:
10.1038/ncomms12836之上。论文的第一作者为博士生薛兆国同学,通讯作者是南京大学余林蔚教授和徐骏教授。相关工作得到了电子科学与工程学院的施毅教授、陈坤基教授以及法国巴黎综合理工/CNRS,LPICM实验室Pere
Roca i
Cabarrocas教授的大力支持。该项研究工作受到“青年千人计划”,国家基础研究“973”课题,国家自然科学基金,江苏杰出青年基金,江苏省自然科学基金,双创人才计划和江苏省“333”高层次人才培养工程项目的资助。

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硅/氧化锡基复合纳米线结构设计图

南京大学电子科学与工程学院余林蔚教授课题组,首次提出并尝试了一种全新的思路:将锗硅纳米线组分调控的切换任务,交付给在平面上滚动前进的纳米金属液滴来完成。例如,利用低熔点金属铟作为催化颗粒,以非晶a-Si/a-Ge叠层作为前驱体,铟颗粒在平面运动中在前端吸收非晶层并在后端淀积出晶态的纳米线结构。当液滴运动速度足够高的时候,由于本身“滚动”导致的内部输运涡旋作用,可自发地调制对底层a-Si/a-Ge叠层的吸收深度,在平面“动态跳跃”过程中,实现周期性、形貌和组分同步调制的嵌套异质锗-硅超晶格岛链纳米线(Ge/Si
hetero island-chain nanowires,
hiNWs)结构。实验发现,其异质锗硅纳米线结构的组分、周期和直径等关键参数均可通过非晶叠层设计和液滴大小控制有效调节。其中Ge成分在Ge/Si异质界面上可在几个纳米内完成75%Ge的自发转变,不需要任何外界人工调控干预。同时,锗硅超晶格纳米线可以被精确定位在指定区域,为后续电学接触和器件探索带来巨大方便。此项研究为探索新型纳米液滴动态物性调控手段,实现高效光电功能结构和器件应用奠定了关键基础。

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图1. 动态跳跃液滴诱导生长异质锗-硅超晶格岛链纳米线结构。

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